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| 基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 贾金成
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| 基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 贾金成
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2017/09/26
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| 偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文 核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44 作者: 刘默寒; 陆妩 ; 马武英; 王信; 郭旗![](/image/person.jpg)
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| 基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者: 席善斌
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2013/05/31
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| 基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013 作者: 席善斌
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2013/05/31
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| 氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 期刊论文 核技术, 2012, 期号: 2, 页码: 104-108 作者: 席善斌; 陆妩 ; 王志宽; 任迪远; 周东
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| 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 期刊论文 核技术, 2011, 期号: 3, 页码: 205-208 作者: 席善斌; 王志宽; 陆妩 ; 王义元; 许发月
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| 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 会议论文 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 三亚, 2011 作者: 陆妩![](/image/person.jpg)
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| 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 114-120 作者: 陆妩 ; 郑玉展; 任迪远; 郭旗 ; 余学峰![](/image/person.jpg)
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| 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 期号: 1, 页码: 533-537 作者: 席善斌; 陆妩 ; 郑玉展; 许发月; 周东
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/11/29
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