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三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:  张晋新1;  王信2;  郭红霞2,3;  冯娟1;  吕玲1
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/03/17
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/05/06
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨圣
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/08/27
一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/12/02
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  陈思远
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/11/19
典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  姚帅
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/19
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  王保顺
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/19
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  梁晓雯
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/19
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/11/03
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/09/07

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