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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应 期刊论文 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 182-189 作者:  傅婧1,2,3;  蔡毓龙4;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/03/17 CMOS图像传感器  质子辐照  单粒子效应  瞬态亮斑   CIS单粒子效应机理及模拟试验方法 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  蔡毓龙 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/08/27 CMOS图像传感器  单粒子效应  空间辐射效应  Geant4   Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors 期刊论文 CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184 作者:  Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/05/10 Backside‐  illuminated CMOS image sensors  Dark signal behaviors  Displacement damage effects  Neutron irradiation   一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法 专利 申请日期: 2020-06-02, 作者:  文林;  蔡毓龙;  李豫东;  周东;  冯婕 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25 A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 540-550 作者:   收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/07/06 Charge coupled devices (CCDs)  proton irradiation  neutron irradiation  hot pixels  displacement damage effects   Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 8, 页码: 1861-1868 作者:  Cai, YL (Cai, Yulong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 3 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 3 ] 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/09/09 Complementary metal-oxide-semiconductor  (CMOS) image sensors (CIS)  heavy ions  pulsed laser  single-event latchup (SEL)  single-event transient (SET)   0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188 作者:  蔡毓龙1,2,3;  李豫东1,3;  文林1,3;  冯婕3,1;  郭旗3,1 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/12/04 CMOS图像传感器  单粒子效应  累积辐射效应  质子   Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 57, 期号: 9, 页码: 1015-1021 作者:  Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/12/09 14-MeV neutron  neutron irradiation  radiation damage  radiation effect   Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 1-7 作者:  Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/03/19 Backside illuminated CMOS image sensor  Random telegraph signal  Radiation effects  Proton irradiation  Theoretical calculation   CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 期刊论文 核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  文林;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/03/13 CMOS图像传感器  单粒子效应  抗辐射加固技术  空间辐射