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大连理工大学 [29]
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硬脆晶体基片化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制研究
期刊论文
人工晶体学报, 2012, 卷号: 41, 页码: 1130-1137
作者:
杜家熙
;
苏建修
;
王占合
;
马利杰
;
康仁科
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/13
硬脆晶体基片
化学机械抛光
非均匀性
Analysis on Contact Forms of Interface in Wafer CMP Based on Lubricating Behavior
会议论文
6th International Conference on Physical and Numerical Simulation of Materials Processing (ICPNS), Guilin Univ Elect Technol, Guilin, PEOPLES R CHINA, 2010-11-16
作者:
Zhang, Shengfang
;
Su, Jianxiu
;
Du, Jiaxi
;
Kang, Renke
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
Chemical mechanical polishing
material removal mechanism
lubrication form
boundary lubrication
Experiment on Non-Uniformity of Material Removal on Wafer surface in Wafer CMP
会议论文
4th Conference on Application of Diamond and Related Materials in China (CADRM2010)/1st International Symposium on Advances in Brazed Superabrasive Tools (ISABS2010), Xiamen, PEOPLES R CHINA, 2011-01-01
作者:
Su, Jianxiu
;
Du, Jiaxi
;
Chen, Xiqu
;
Ning, Xin
;
Kang, Renke
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/18
Chemical mechanical polishing
Material Removal
Non-uniformity
Study on Lubricating Behavior in Chemical Mechanical Polishing
会议论文
ADVANCES IN GRINDING AND ABRASIVE TECHNOLOGY XVI
作者:
Su JX(苏建修)
;
Du, J.X.
;
Liu, X.L.
;
Liu, H.N.
;
Kang RK(康仁科)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/18
铜化学机械抛光材料去除机理研究
期刊论文
金刚石与磨料磨具工程, 2010, 卷号: 30, 页码: 5-9
作者:
苏建修
;
高虹
;
陈锡渠
;
杜家熙
;
宁欣
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/24
化学机械抛光
硅片
材料去除机理
硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验
期刊论文
超硬材料工程, 2010, 卷号: 22, 页码: 1-4
作者:
苏建修
;
陈锡渠
;
杜家熙
;
宁欣
;
康仁科
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/24
化学抛光
材料去除
非均匀性
基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性
期刊论文
纳米技术与精密工程, 2009, 卷号: 7, 页码: 265-269
作者:
苏建修
;
高虹
;
陈锡渠
;
宁欣
;
郭东明
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/24
化学机械抛光
材料去除机理
材料去除率
磨损行为
Study on Characteristic of Material Removal Rate in Chemical Mechanical Polishing of Silicon Wafer
期刊论文
5th International Conference on Physical and Numerical Simulation of Material Processing (ICPNS 07), 2008, 卷号: 5, 页码: 1656-1660
作者:
Su, Jianxiu
;
Chen, Xiqu
;
Zhang, Xueliang
;
Du, Jiaxi
;
Gu, Dongming
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/27
Chemical Mechanical Polishing
Material Removal Mechanism
Material Removal Rate
Abrasive Abrasion
Interaction
基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究
期刊论文
摩擦学学报, 2008, 卷号: 28, 页码: 108-111
作者:
苏建修
;
杜家熙
;
陈锡渠
;
张学良
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/27
化学机械抛光
材料去除机理
材料去除率
磨粒磨损
接触形式
有机碱对铜CMP材料去除率作用的实验研究
期刊论文
机械科学与技术, 2008, 卷号: 27, 页码: 812-814,818
作者:
李庆忠
;
于秀坤
;
苏建修
;
郭东明
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/27
CMP
有机碱
铜
材料去除率
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