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半导体研究所 [22]
内容类型
期刊论文 [22]
发表日期
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Space Program SJ-10 of Microgravity Research
期刊论文
microgravity science and technology, 2014, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 159-169
Hu, WR
;
Zhao, JF
;
Long, M
;
Zhang, XW
;
Liu, QS
;
Hou, MY
;
Kang, Q
;
Wang, YR
;
Xu, SH
;
Kong, WJ
;
Zhang, H
;
Wang, SF
;
Sun, YQ
;
Hang, HY
;
Huang, YP
;
Cai, WM
;
Zhao, Y
;
Dai, JW
;
Zheng, HQ
;
Duan, EK
;
Wang, JF
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/03/20
Coherent Longitudinal Acoustic Phonon Approaching THz Frequency in Multilayer Molybdenum Disulphide
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 5722
Ge, SF
;
Liu, XF
;
Qiao, XA
;
Wang, QS
;
Xu, Z
;
Qiu, J
;
Tan, PH
;
Zhao, JM
;
Sun, D
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/20
Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: art. no. 072110
作者:
Wei HY
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:233/42
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
interface states
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Valence band offset of ZnO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19, 页码: art. no. 192107
Fan, HB
;
Sun, GS
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Chen, YH
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:78/32
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提交时间:2010/03/08
ZNO FILMS
GROWTH
DIODES
GAN
Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an alxga1-xn/gan heterostructure
期刊论文
Physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008
作者:
Han, XX
;
Li, DB
;
Yuan, HR
;
Sun, XH
;
Liu, XL
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Structural and optical properties of 3d growth multilayer ingan/gan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428
作者:
Han, XX
;
Chen, Z
;
Li, DB
;
Wu, JJ
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructure
Optical microscopy
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428
作者:
Li DB
;
Han XX
;
Han PD
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浏览/下载:161/51
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提交时间:2010/03/09
nanostructure
Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008
作者:
Han XX
;
Li DB
收藏
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浏览/下载:117/32
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提交时间:2010/03/09
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Photoluminescence of mg-doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
作者:
Qu, BZ
;
Zhu, QS
;
Sun, XH
;
Wan, SK
;
Wang, ZG
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
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