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半导体研究所 [20]
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光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
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Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/11/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/07/11
Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/07/11
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/07/11
Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 625, 页码: 266–270
W. Liu
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
M. Shi
;
D.M. Zhao
;
X. Li
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/03/23
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
M. Shi
;
D. M.Zhao
;
X. Li
;
J. P. Liu
;
S. M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T.Du
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/03/23
A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold
期刊论文
superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 80, 期号: 2015, 页码: 111–117
X. Li
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
M. Shi
;
D.M. Zhao
;
W. Liu
;
J.J. Zhu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/03/23
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 16, 页码: 163708
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
;
Zhu, J. J.
;
Le, L. C.
;
Yang, J.
;
He, X. G.
;
Zhang, S. M.
;
Zhang, B. S.
;
Liu, J. P.
;
Yang, H.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/19
Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 143706
Le, L. C.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Li, L.
;
Wu, L. L.
;
Chen, P.
;
Liu, Z. S.
;
Yang, J.
;
Li, X. J.
;
He, X. G.
;
Zhu, J. J.
;
Wang, H.
;
Zhang, S. M.
;
Yang, H.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/04/09
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 043508
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/04/09
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