Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN | |
S.T. Liu; J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; F. Liang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; X. Li; W. Liu | |
刊名 | Superlattices and Microstructures |
2017 | |
卷号 | 104期号:2017页码:63-68 |
学科主题 | 光电子学 |
公开日期 | 2018-07-11 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28768] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | S.T. Liu,J. Yang,D.G. Zhao,et al. Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN[J]. Superlattices and Microstructures,2017,104(2017):63-68. |
APA | S.T. Liu.,J. Yang.,D.G. Zhao.,D.S. Jiang.,F. Liang.,...&M. Li.(2017).Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN.Superlattices and Microstructures,104(2017),63-68. |
MLA | S.T. Liu,et al."Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN".Superlattices and Microstructures 104.2017(2017):63-68. |
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