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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
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2009 [1]
2007 [2]
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学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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The property optimization of n-GaN films grown on n-SiC substrates by incorporating a SiNx interlayer
期刊论文
J Mater Sci: Mater Electron, 2017, 卷号: 28, 页码: 6008–6014
作者:
Shuang Cui
;
Yuantao Zhang
;
Zhen Huang
;
Gaoqiang Deng
;
Baozhu Li
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2018/11/30
Suppression of hole leakage by adding a hole blocking layer prior to the first quantum barrier in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
期刊论文
Phys. Status Solidi A, 2017, 卷号: 214, 期号: 10, 页码: 1700320
作者:
Yao Xing
;
De Gang Zhao
;
De Sheng Jiang
;
Xiang Li
;
Feng Liang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 057703
Feng Liang
;
Ping Chen
;
De-Gang Zhao
;
De-Sheng Jiang
;
Zhi-Juan Zhao
;
Zong-Shun Liu
;
Jian-Jun Zhu
;
Jing Yang
;
Wei Liu
;
Xiao-Guang He
;
Xiao-Jing Li
;
Xiang Li
;
Shuang-Tao Liu
;
Hui Yang
;
Li-Qun Zhang
;
Jian-Ping Liu
;
Yuan-Tao Zhang
;
Guo-Tong Du
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/10
246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
作者:
陈良惠
;
赵德刚
;
颜廷静
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
Fabrication of246 nm back-illuminated AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Yan, Tingjing
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Lianghui
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic devices
Pixels
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:
王玉田
;
江德生
;
赵德刚
;
朱建军
;
张书明
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/29
GAAS-SURFACES
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
朱建军
;
江德生
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:152/52
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提交时间:2010/11/23
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