高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

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	高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析
	朱建军; 江德生; 赵德刚; 张书明
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:4 页码:592-596
中文摘要	制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×10~(10) cm~(-2).
英文摘要	制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×10~(10) cm~(-2).; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4069.pdf: 575784 bytes, checksum: e8ec487870cb51e0ad0cf7c96781d4f2 (MD5) Previous issue date: 2007; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16311]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱建军,江德生,赵德刚,等. 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):592-596.
APA	朱建军,江德生,赵德刚,&张书明.(2007).高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析.半导体学报,28(4),592-596.
MLA	朱建军,et al."高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析".半导体学报 28.4(2007):592-596.