穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

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	穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
	王玉田; 江德生; 赵德刚; 朱建军; 张书明
刊名	物理学报
	2009
卷号	58 期号:11 页码:7952-7957
中文摘要	研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.
英文摘要	研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 12:59:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T04:59:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3629.pdf: 613161 bytes, checksum: af6efc4f76eb8513a10dab2926ac202c (MD5) Previous issue date: 2009; 国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所国家重点联合实验室
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15659]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田,江德生,赵德刚,等. 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响[J]. 物理学报,2009,58(11):7952-7957.
APA	王玉田,江德生,赵德刚,朱建军,&张书明.(2009).穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响.物理学报,58(11),7952-7957.
MLA	王玉田,et al."穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响".物理学报 58.11(2009):7952-7957.