×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [68]
内容类型
期刊论文 [60]
会议论文 [8]
发表日期
2013 [1]
2011 [8]
2010 [2]
2009 [4]
2008 [5]
2007 [4]
更多...
学科主题
半导体材料 [32]
光电子学 [11]
半导体物理 [11]
半导体器件 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共68条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Transient thermal characteristics related to catastrophic optical damage in high power AlGaAs/GaAs laser diodes
期刊论文
physica status solidi (a) applications and materials science, 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2379-2383
Qiao, Yanbin
;
Feng, Shiwei
;
Xiong, Cong
;
Zhu, Hui
;
Ma, Xiaoyu
;
Yue, Yuan
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2014/04/28
Efficacy and reliability of long-term implantation of multi-channel microelectrode arrays in the optical nerve sheath of rabbit eyes
期刊论文
Vision research, 2011, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 1897-1906
作者:
Wang, Kai
;
Li, Xiao-Qian
;
Li, Xiao-Xin
;
Pei, Wei-Hua
;
Chen, Hong-Da
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Animal testing
Visual prosthesis
Microelectrode
Optic nerve
Evoked potentials
Inp-based deep-ridge npn transistor laser
期刊论文
Optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 16, 页码: 3206-3208
作者:
Liang, S.
;
Kong, D. H.
;
Zhu, H. L.
;
Zhao, L. J.
;
Pan, J. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Jiang, L. J.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, C. B.
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:66/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
  |  
浏览/下载:74/2
  |  
提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:81/5
  |  
提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Optical properties of mn+ doped gaas
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Liao, Shuzhi
;
Zhang, Fasheng
;
Liu, Junpeng
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
Gaas
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace