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A Study of High-Low Frequency Charge Pumping Method on Evaluating Interface Traps in Bulk FinFETs 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018
作者:  Ying Jin;  Yangyu Tian;  Kun Chen;  Jun Luo
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/20
FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26
Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017
作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05
Bulk FinFETs with body spacers for improving fin height variation 期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者:  Wei X(魏星);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhang YB(张严波);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/09
Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文
ECS Transactions, 2016
作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09
Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14？nm node FinFETs 期刊论文
solid-state electronics, 2016
作者:  秦长亮;  王桂磊;  罗军;  殷华湘;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/05/09
Novel 14-nm Scallop-Shaped FinFETs (S-FinFETs) on Bulk-Si Substrate 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者:  Xu WJ(徐唯佳);  Yin HX(殷华湘);  Ma XL(马小龙);  Hong PZ(洪培真);  Xu M(许淼)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/05/31
Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Wang GL(王桂磊);  Guo YL(郭奕栾);  Zhao C(赵超);  Luo J(罗军)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/05/31
Improved Short Channel Effect Control in Bulk FinFETs With Vertical Implantation to Form Self-Aligned Halo and Punch-Through Stop Pocket 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015
作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ye TC(叶甜春);  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Xu M(许淼)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/31
Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真)
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/05/31

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