Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs

	Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs
	Zhao ZG(赵治国); Luo J(罗军); Yang H(杨红); Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真); Xiang JJ(项金娟); Gao JF(高建峰); Xiong WJ(熊文娟); Zhao C(赵超); Wang DH(王大海)
刊名	Journal of Semiconductors
	2015-04-30
公开日期	2016-05-31
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15035]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhao ZG,Luo J,Yang H,et al. Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs[J]. Journal of Semiconductors,2015.
APA	Zhao ZG.,Luo J.,Yang H.,Meng LK.,Hong PZ.,...&Zhang YK.(2015).Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs.Journal of Semiconductors.
MLA	Zhao ZG,et al."Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs".Journal of Semiconductors (2015).