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苏州纳米技术与纳米... [15]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
2016 [5]
2015 [3]
2013 [2]
2012 [1]
2010 [1]
2009 [2]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8
作者:
Li, X
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:
Li, X
;
Liu, ZS
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of rapid degradation in GaN-based blue laser diodes
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 99
作者:
Wen, Pengyan(温鹏雁)
;
Zhang, Shuming(张书明)
;
Li, Deyao(李德尧)
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Zhang, Liqun(张立群)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2017/03/11
Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 9
作者:
Cheng, Y(程洋)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Tian, AQ(田爱琴)
;
Zhang, F(张峰)
;
Feng, MX(冯美鑫)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2017/03/11
Catastrophic Degradation of InGaN/GaN Blue Laser Diodes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 638-641
作者:
Wen, Pengyan(温鹏雁)
;
Zhang, Shuming(张书明)
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Li, Deyao(李德尧)
;
Zhang, Liqun(张立群)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Catastrophic degradation
InGaN/GaN laser diodes (LDs)
transmission electron microscopy (TEM)
Identification of degradation mechanisms of blue InGaN/GaN laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 41, 页码: 4
作者:
Wen, PY(温鹏雁)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, LQ(张立群)
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2015/12/31
InGaN/GaN laser diode
degradation mechanism
optical characteristic
High accuracy thermal resistance measurement in GaN/InGaN laser diodes
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2015, 卷号: 106, 页码: 4
作者:
Wen, PY(温鹏雁)
;
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, LQ(张立群)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/12/31
Thermal resistance
Measurement
GaN/InGaN laser diodes
Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/12/31
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 4
作者:
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, LQ(张立群)
;
Sun, Q(孙钱)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/01/13
Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 18
作者:
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, LQ(张立群)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Yang, H(杨辉)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2014/01/15
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