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Simulation of doping effect for HfO2-based RRAM based on first-principles calculations 会议论文
作者:  Wei W(魏巍);  Chuai XC(揣喜臣);  Lu ND(卢年端);  Wang Y(王艳);  Li L(李泠)
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/26
Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure 会议论文
作者:  Luo Q(罗庆);  Xu XX(许晓欣);  Lv HB(吕杭炳);  Gong TC(龚天成);  Long SB(龙世兵)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/26
Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices 会议论文
作者:  Zhang MY(张美芸);  Li Y(李阳);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Liu M(刘明)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/19
The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文
作者:  Wang Y(王艳);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14
Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文
作者:  Liu Q(刘琦);  Xu XX(许晓欣);  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Liu M(刘明)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/14
Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device 会议论文
Guilin, 2014-10-28
作者:  Sun PX(孙鹏霄);  Wang M(王明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣);  Li Y(李阳)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/10/14
Visualization on Charge Distribution Behavior in Thickness-Scalable HfO2 Trapping Layer by In-situ Electron Holography and Kelvin Probe Force Microscopy Technology 会议论文
作者:  Liu M(刘明);  Han YL(韩宇龙);  Huo ZL(霍宗亮);  Li XK(李新开)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/10/22
Statistical Approach to the RESET Switching of the HfO2-Based Solid Electrolyte Memory 会议论文
作者:  Yang XY(杨晓一);  Long SB(龙世兵)
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/10/22
Bandgap engineered HfO2/Al2O3/HfO2 trapping layer for high-performance charge trap memory 会议论文
作者:  Liu M(刘明)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/19

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