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	Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices
	Zhang MY(张美芸); Li Y(李阳); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明)
	2016-09-29
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16344]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang MY,Li Y,Liu Q,et al. Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices[C]. 见:.

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