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	Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure
	Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Lv HB(吕杭炳); Gong TC(龚天成); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Li L(李泠); Liu M(刘明)
	2017-06-15
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18291]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Luo Q,Xu XX,Lv HB,et al. Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure[C]. 见:.

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