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Production of carbon-loaded nano-zero-valence iron, involves mixing cigarette butt and acetone to form solution, and adding iron chloride hexahydrate, anhydrous iron chloride and iron(III) nitrate nonahydrate-ethanol solution. 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-11-16
作者:  ZHAN J LU S
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Optically pumped solid-state laser and lighting system comprising said solid-state laser 专利
专利号: US20120020073A1, 申请日期: 2012-01-26, 公开日期: 2012-01-26
作者:  WEICHMANN, ULRICH;  RONDA, CORNELIS REINDER;  OPITZ, JOACHIM;  SCHMIDT, PETER JOSEF
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Semiconductor gain medium which can generate THz radiation 专利
专利号: GB2465433A, 申请日期: 2010-05-26, 公开日期: 2010-05-26
作者:  MAURO PEREIRA
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Type II mid-infrared quantum well laser 专利
专利号: US7280576, 申请日期: 2007-10-09, 公开日期: 2007-10-09
作者:  CALCOTT, PHILIP DOUGLAS JOHN
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Rare-earth oxide or sulfide of NANO size and process for producing the same through photochemical reaction 专利
专利号: EP1298091A4, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
作者:  YANAGIDA, SHOZO;  WADA, YUJI;  HASEGAWA, YASUCHIKA
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Material systems for long wavelength lasers grown on GaSb or InAs substrates 专利
专利号: US6813297, 申请日期: 2004-11-02, 公开日期: 2004-11-02
作者:  BURAK, DARIUSZ
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Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer 专利
专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
作者:  CHANG, YING-LAN;  CORZINE, SCOTT W.;  DUPUIS, RUSSELL D.;  NOH, MIN SOO;  RYOU, JAE HYUN
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Material systems for long wavelength lasers grown on InP substrates 专利
专利号: US20030231680A1, 申请日期: 2003-12-18, 公开日期: 2003-12-18
作者:  BURAK, DARIUSZ
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Semiconductor light emitting element 专利
专利号: US6350997, 申请日期: 2002-02-26, 公开日期: 2002-02-26
作者:  SAEKI, RYO
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Cavity-less vertical semiconductor optical amplifier 专利
专利号: US6339496, 申请日期: 2002-01-15, 公开日期: 2002-01-15
作者:  KOLEY, BIKASH;  DAGENAIS, MARIO
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