|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Long wavelength vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US7020172, 申请日期: 2006-03-28, 公开日期: 2006-03-28
作者: NAONE, RYAN LIKEKE; JACKSON, ANDREW W.; CHIROVSKY, LEO M. F.
  收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1992212488A, 申请日期: 1992-08-04, 公开日期: 1992-08-04
作者: MATSUBARA KUNIO
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Growth of semi-insulating indium phosphide by liquid phase epitaxy 专利
专利号: EP0344904A3, 申请日期: 1991-11-13, 公开日期: 1991-11-13
作者: KNIGHT, DOUGLAS GORDON; BENYON, WILLIAM
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| Method of forming fine trench 专利
专利号: JP1988053931A, 申请日期: 1988-03-08, 公开日期: 1988-03-08
作者: IDOTA TAKESHI; TAKEUCHI YOSHINORI
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1983219790A, 申请日期: 1983-12-21, 公开日期: 1983-12-21
作者: HAMADA HIROYOSHI
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor laser 专利
专利号: GB1461199A, 申请日期: 1977-01-13, 公开日期: 1977-01-13
作者: -
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Light-emitting semiconductor diodes 专利
专利号: GB1432215A, 申请日期: 1976-04-14, 公开日期: 1976-04-14
作者: -
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Light emitting semiconductor devices 专利
专利号: GB1342767A, 申请日期: 1974-01-03, 公开日期: 1974-01-03
作者: -
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Method for implantation of high dopant concentrations in wide band gap materials 专利
专利号: US20060286784A1, 公开日期: 2006-12-21
作者: USOV, IGOR; ARENDT, PAUL N.
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
