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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US8754482, 申请日期: 2014-06-17, 公开日期: 2013-02-14
作者:  徐秋霞;  殷华湘;  陈大鹏
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Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films 专利
专利号: US8349633, 申请日期: 2013-01-08, 公开日期: 2013-01-08
作者:  ALLERMAN, ANDREW A.;  CRAWFORD, MARY H.;  LEE, STEPHEN R.
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Nitride semiconductor laser device 专利
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:  RYOWA, TATSUYA;  ISHIDA, MASAYA;  MORISHITA, YUKIKO;  KAMIKAWA, TAKESHI;  MOTOKI, KENSAKU
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HYBRID INTEGRATION BASED ON WAFER-BONDING OF DEVICES TO AISb MONOLITHICALLY GROWN ON Si 专利
专利号: US20070275492A1, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29
作者:  HUFFAKER, DIANA L.;  DAWSON, LARRY R.;  BALAKRISHNAN, GANESH
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Group iii nitride semiconductor optical device 专利
专利号: WO2006030845A1, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23
作者:  FUKUDA, KAZUHISA;  SASAOKA, CHIAKI;  KIMURA, AKITAKA
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Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device 专利
专利号: US7015058, 申请日期: 2006-03-21, 公开日期: 2006-03-21
作者:  TAKATANI, KUNIHIRO;  ITO, SHIGETOSHI;  YUASA, TAKAYUKI;  TANEYA, MOTOTAKA;  MOTOKI, KENSAKU
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Light emitting device structure using nitride bulk single crystal layer 专利
专利号: EP1453159A1, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01
作者:  DWILINSKI, ROBERT;  DORADZINSKI, ROMAN;  GARCZYNSKI, JERZY;  SIERZPUTOWSKI, LESZEK;  KANBARA, YASUO, C/O NICHIA CORPORATION
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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:  KRYLIOUK, OLGA
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Long wavelength DH, SCH and MQW lasers based on Sb 专利
专利号: US6108360, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  RAZEGHI, MANIJEH
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Stress compensation type semiconductor laser 专利
专利号: US5903587, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
作者:  MIYASHITA, MOTOHARU
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