半导体器件及其制造方法 | |
徐秋霞; 殷华湘![]() ![]() | |
2014-06-17 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | US8754482 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | A semiconductor device and its manufacturing method are provided. The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of a first semiconductor material, a gate structure on the semiconductor substrate, a crystal lattice dislocation line in a channel under the gate structure for generating channel stress, wherein the crystal lattice dislocation line being at an angle to the channel. |
公开日期 | 2013-02-14 |
申请日期 | 2011-11-25 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13214] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,殷华湘,陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. US8754482. 2014-06-17. |
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