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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress compensation type semiconductor laser 专利 专利号: US5903587, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11 作者:  MIYASHITA, MOTOHARU 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device and fabricating method thereof 专利 专利号: GB2301481B, 申请日期: 1997-10-08, 公开日期: 1997-10-08 作者:  SHOICHI, , KARAKIDA;  MOTOHARU, , MIYASHITA;  YUTAKA, , MIHASHI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser and method of manufacture 专利 专利号: GB2310757A, 申请日期: 1997-09-03, 公开日期: 1997-09-03 作者:  TAKASHI, NISHIMURA;  SHOICHI, KARAKIDA;  MOTOHARU, MIYASHITA;  DIETHARD, MARX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Pulsationslaser und Herstellungsverfahren dafür 专利 专利号: DE19629098A1, 申请日期: 1997-05-28, 公开日期: 1997-05-28 作者:  KARAKIDA SHOICHI;  MIHASHI YUTAKA;  MIYASHITA MOTOHARU 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利 专利号: GB2305542A, 申请日期: 1997-04-09, 公开日期: 1997-04-09 作者:  MOTOHARU, MIYASHITA;  HIROTAKA, KIZUKI;  YASUAKI, YOSHIDA;  YUTAKA, MIHASHI;  YASUTOMO, KAJIKAWA 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung 专利 专利号: DE19546578A1, 申请日期: 1996-06-20, 公开日期: 1996-06-20 作者:  KAJIKAWA YASUTOMO;  KARAKIDA SHOUICHI;  KIZUKI HIROTAKTA;  MIHASHI YUTAKA;  MIYASHITA MOTOHARU 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for evaluating epitaxial layers and test pattern for process evaluation 专利 专利号: EP0632494A3, 申请日期: 1995-12-06, 公开日期: 1995-12-06 作者:  MIYASHITA, MOTOHARU, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  OGASAWARA, NOBUYOSHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  KIMURA, TADASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers 专利 专利号: DE4435657A1, 申请日期: 1995-04-06, 公开日期: 1995-04-06 作者:  MIYASHITA MOTOHARU 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31