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半导体研究所 [60]
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期刊论文 [53]
会议论文 [7]
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2009 [3]
2008 [4]
2007 [1]
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学科主题
半导体物理 [60]
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共60条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Optical properties of UO2 and PuO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Chu MF (Chu Mingfu)
;
Zhang P (Zhang Ping)
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/06/18
ELECTRONIC-STRUCTURE
URANIUM-DIOXIDE
POINT-DEFECTS
PHOTOEMISSION
ENERGY
APPROXIMATION
ENERGETICS
PLUTONIUM
CRYSTAL
SPECTRA
Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902
Zhang Q
;
Wang XQ
;
He XW
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Ishitani Y
;
Yoshikawa A
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
nondestructive testing
photoconductivity
radiation effects
semiconductor thin films
wide band gap semiconductors
Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:
Xue CL
;
Su SJ
收藏
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浏览/下载:62/2
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提交时间:2010/03/08
porous anodic alumina mask
silicon nanopore array structure
pattern transfer
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
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浏览/下载:88/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
CARRIER RELAXATION
ENERGY RELAXATION
LINE-SHAPE
EMISSION
DENSITY
Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283
作者:
Ji L
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:60/5
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提交时间:2010/03/08
Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
Chen DY
;
Wang X
;
Wei DY
;
Wang T
;
Xu J
;
Ma ZY
;
Li W
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/08
PECVD
Synthesis and photoluminescence, field emission properties of stalactite-like ZnS-ZnO composite nanostructures
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2008, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 759-763
Li J
;
Fang, GJ
;
Li C
;
Yuan, LY
;
Ai L
;
Liu NS
;
Zhao DS
;
Ding K
;
Li GH
;
Zhao XZ
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提交时间:2010/03/08
WURTZITE ZNS
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