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半导体研究所 [60]
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期刊论文 [56]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [3]
2010 [4]
2009 [4]
2008 [6]
2007 [1]
2006 [3]
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学科主题
半导体物理 [60]
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学科主题:半导体物理
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Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
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浏览/下载:62/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM WIRES
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
FIELD
GAMNN
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires
期刊论文
chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/12/05
SILICON NANOWIRES
CATALYTIC GROWTH
BAND OFFSETS
SOLAR-CELLS
SEMICONDUCTORS
SUPERLATTICES
EFFICIENCY
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:105/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Codoping of magnesium with oxygen in gallium nitride nanowires
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 10, 页码: art. no. 103112
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
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浏览/下载:31/3
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提交时间:2010/04/13
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:53/11
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提交时间:2011/07/05
GaN nanowires
Electronic properties
First principles
GAN NANOWIRES
AB-INITIO
EMISSION PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
ARRAYS
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
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