×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2008 [3]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:193/43
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:236/41
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
conduction bands
energy gap
high electron mobility transistors
III-V semiconductors
magnesium compounds
passivation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
The influence of Schottky contact metals on the strain of AlGaN barrier layers
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: art. no. 044503
Lin, ZJ
;
Zhao, JZ
;
Corrigan, TD
;
Wang, Z
;
You, ZD
;
Wang, ZG
;
Lu, W
收藏
  |  
浏览/下载:51/2
  |  
提交时间:2010/03/08
PIEZOELECTRIC POLARIZATION
HETEROSTRUCTURES
Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:67/2
  |  
提交时间:2010/03/08
InN
photogalvanic
inter-band transition
Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
Zhang, ML
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
收藏
  |  
浏览/下载:50/3
  |  
提交时间:2010/03/08
TRANSPORT
PROTON
HEMTS
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace