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科研机构
半导体研究所 [64]
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期刊论文 [64]
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2010 [2]
2009 [1]
2007 [3]
2006 [11]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [64]
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共64条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability
期刊论文
journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:
Liu J
;
Tan PH
收藏
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浏览/下载:90/4
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提交时间:2011/07/05
FERRIC-CHLORIDE
CHARGE-TRANSFER
SINGLE-LAYER
GRAPHENE
SPECTROSCOPY
SCATTERING
SPECTRA
Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:37/2
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提交时间:2011/07/05
COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
LATTICE DYNAMICS
TIN OXIDE
FILMS
NANOSTRUCTURES
SPECTRA
EXCITON
ARRAYS
RUTILE
First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
收藏
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浏览/下载:78/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
Optical properties of UO2 and PuO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Chu MF (Chu Mingfu)
;
Zhang P (Zhang Ping)
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/06/18
ELECTRONIC-STRUCTURE
URANIUM-DIOXIDE
POINT-DEFECTS
PHOTOEMISSION
ENERGY
APPROXIMATION
ENERGETICS
PLUTONIUM
CRYSTAL
SPECTRA
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
收藏
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浏览/下载:87/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Exciton localization due to isoelectronic substitution in ZnSTe
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 402-404
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
PRESSURE
Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs
Optical properties of the E-0+Delta(0) energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
Bao ZH (Bao Zhi-Hua)
;
Jing WP (Jing Wei-Ping)
;
Luo XD (Luo Xiang-Dong)
;
Tan PH (Tan Ping-Heng)
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浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/03/29
semi-insulated GaAs
Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
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