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半导体研究所 [61]
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学科主题
半导体材料 [61]
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学科主题:半导体材料
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Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 078102
作者:
Zesheng Ji
;
Lianshan Wang
;
Guijuan Zhao
;
Yulin Meng
;
Fangzheng Li
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/05/23
Epitaxial properties of ZnO thin films on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2015, 卷号: 421, 页码: 19–22
C.H. Jia
;
S.Wang
;
Y.H.Wu
;
Y.H.Chen
;
X.W.Sun
;
W.F.Zhang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/23
1.8-W Room Temperature Pulsed Operation of Substrate-Emitting Quantum Cascade Lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2014, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 323-325
Yao, DY
;
Zhang, JC
;
Liu, FQ
;
Jia, ZW
;
Yan, FL
;
Wang, LJ
;
Liu, JQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/19
Formation of single crystalline tellurium supersaturated silicon pn junctions by ion implantation followed by pulsed laser melting
期刊论文
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 063001
Wang Xiyuan,Huang Yongguang,Liu Dewei,Zhu Xiaoning,Cui Xiao and Zhu Hongliang
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/05/08
Ytterbium-pulsed fiber laser percussion drilling silicon for emitter wrap through solar cells
期刊论文
proceedings of spie - the international society for optical engineering, 2012, 卷号: 8473, 页码: 84730t
Huang, Yongguang
;
Zhu, Xiaoning
;
Zhu, Hongliang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/05/07
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
Xu DW
;
Yoon SF
;
Ding Y
;
Tong CZ
;
Fan WJ
;
Zhao LJ
收藏
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浏览/下载:100/2
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提交时间:2011/07/05
Dielectric-free approach
quantum dot (QD)
surface-relief technique
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
EMITTING LASERS
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:53/4
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提交时间:2011/07/07
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
AlGaN alloys
High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Ma
;
WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:150/30
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提交时间:2010/04/13
THRESHOLD CURRENT
ROOM-TEMPERATURE
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112
Song YF (Song Yafeng)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
;
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Li ZW (Li Zhiwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/12/05
OPTICAL PHONON ENERGY
INVERSION-LAYERS
TRANSITIONS
RELAXATION
LASERS
STATES
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