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半导体研究所 [10]

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半导体材料 [10]

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	Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO2/TiAu/SiO2 structure 期刊论文 science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 830-834 作者: Zhang H; Zhang XW; Wang Y; Huang TM 收藏 \| 浏览/下载：54/8 \| 提交时间：2011/07/05 micro-solar cell SI-GaAs leakage current insulating layer PERIMETER RECOMBINATION
	Analysis of leakage current in GaAs micro-solar cell arrays 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1240-1246 Wang YS (Wang YanShuo); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai; YM (Bai YiMing); Wang Y (Wang Yu); Huang TM (Huang TianMao); Zhang H (Zhang Han); Shi HW (Shi HuiWei) 收藏 \| 浏览/下载：210/44 \| 提交时间：2010/05/24 micro-solar cell MEMS (micro-electromechanical systems) leakage current RECOMBINATION VOLTAGE
	Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2010/03/08 AlInGaN RF-MBE structural properties optical properties
	An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者: Zhang ML; Hou QF 收藏 \| 浏览/下载：129/30 \| 提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN HEMT MOCVD SiC substrate Power device
	MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers 期刊论文半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488 作者: Xu Bo 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144 Huang CJ; Zhu XP; Li C; Zuo YH; Cheng BW; Li DZ; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏 \| 浏览/下载：119/4 \| 提交时间：2010/08/12 etching nanostructures substrates ASSEMBLED GE ISLANDS SI(001) GROWTH DOTS
	Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions 期刊论文 thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95 Poulsen PR; Wang MX; Xu J; Li W; Chen KJ; Wang GH; Feng D 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 chemical vapour deposition germanium nanostructures structural properties AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM CRYSTALLINE DISCHARGE CELL POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
	Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys low temperature epitaxy desorption adsorption surface morphology growth kinetics HYDROGEN DESORPTION SI(100) SI SURFACTANT GERMANIUM MECHANISM KINETICS ALLOYS SI2H6 GAS-SOURCE MBE
	Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys low-temperature epitaxy composition dependence growth kinetics GAS-SOURCE MBE SI2H6 SEGREGATION DEPENDENCE KINETICS FILMS
	Polycrystalline silicon thin films and solar cells prepared by rapid thermal CVD 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 1997, 卷号: 48, 期号: 0, 页码: 321-326 Zhao YW; Li ZM; He SQ; Liao XB; Sheng SR; Deng LS; Ma ZX 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2010/11/17 polycrystalline silicon thin films solar cells rapid thermal CVD

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