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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2005 [1]
2002 [1]
1999 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Improved performance of GaAs-based micro-solar cell with novel polyimide/SiO2/TiAu/SiO2 structure
期刊论文
science china-technological sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 830-834
作者:
Zhang H
;
Zhang XW
;
Wang Y
;
Huang TM
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浏览/下载:54/8
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提交时间:2011/07/05
micro-solar cell
SI-GaAs
leakage current
insulating layer
PERIMETER RECOMBINATION
Analysis of leakage current in GaAs micro-solar cell arrays
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1240-1246
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai
;
YM (Bai YiMing)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
收藏
  |  
浏览/下载:210/44
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提交时间:2010/05/24
micro-solar cell
MEMS (micro-electromechanical systems)
leakage current
RECOMBINATION
VOLTAGE
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
  |  
浏览/下载:129/30
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488
作者:
Xu Bo
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144
Huang CJ
;
Zhu XP
;
Li C
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Li DZ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:119/4
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提交时间:2010/08/12
etching
nanostructures
substrates
ASSEMBLED GE ISLANDS
SI(001)
GROWTH
DOTS
Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions
期刊论文
thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95
Poulsen PR
;
Wang MX
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Wang GH
;
Feng D
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
chemical vapour deposition
germanium
nanostructures
structural properties
AMORPHOUS-SILICON
GERMANIUM
CRYSTALLINE
DISCHARGE
CELL
POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
Liu JP
;
Kong MY
;
Li JP
;
Liu XF
;
Huang DD
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si1-xGex alloys
low temperature epitaxy
desorption
adsorption
surface morphology
growth kinetics
HYDROGEN DESORPTION
SI(100)
SI
SURFACTANT
GERMANIUM
MECHANISM
KINETICS
ALLOYS
SI2H6
GAS-SOURCE MBE
Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445
Liu JP
;
Liu XF
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
Si1-xGex alloys
low-temperature epitaxy
composition dependence
growth kinetics
GAS-SOURCE MBE
SI2H6
SEGREGATION
DEPENDENCE
KINETICS
FILMS
Polycrystalline silicon thin films and solar cells prepared by rapid thermal CVD
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 1997, 卷号: 48, 期号: 0, 页码: 321-326
Zhao YW
;
Li ZM
;
He SQ
;
Liao XB
;
Sheng SR
;
Deng LS
;
Ma ZX
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
polycrystalline silicon thin films
solar cells
rapid thermal CVD
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