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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558 作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/07/06 Total ionizing dose  h-shape gate  channel width  partially depleted   Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown   TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09 Bulk Si FinFET  fin width  orientation  PMOS  threshold voltage shift  total ionizing dose (TID)