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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET 期刊论文 IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017 作者:  Wang SK(王盛凯);  Han K(韩楷);  Wang WW(王文武);  Ye TC(叶甜春);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/09 Experimental Investigation of Ballistic Carrier Transport for Sub-100-nm Ge n-MOSFETs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Cheng, Ran; Yin, Longxiang; Wu, Heng; Yu, Xiao; Zhang, Yanyan; Zheng, Zejie; Wu, Wangran; Chen, Bing; Ye, Peide D.; Liu, Xiaoyan; Zhao, Yi 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Germanium MOSFETs  ballistic transport  pulsed IV  GeOI  self-heating effect  P-CHANNEL