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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical properties of undoped in0.53ga0.47as grown on inp substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 作者:  Cui, L. J.;  Zeng, Y. P.;  Wang, B. Q.;  Zhu, Z. P. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Point defects  Molecular beam epitaxy  Semiconducting gallium compounds  Semiconducting indium compounds  Semiconducting ternary compounds   Room-temperature continuous-wave operation of inas quantum-wire laser on inp(001) substrate 期刊论文 Electronics letters, 2006, 卷号: 42, 期号: 13, 页码: 757-758 作者:  Yang, X. R.;  Xu, B.;  Wang, Z. G.;  Jin, P.;  Liang, P. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: 3 作者:  Chen, YH;  Ye, XL;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 High uniformity of self-organized inas quantum wires on inalas buffers grown on misoriented inp(001) 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Wang, YL;  Jin, P;  Ye, XL;  Zhang, CL;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Shape and spatial correlation control of inas-inalas-inp(001) nanostructure superlattices 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Jin, P;  Ye, XL;  Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties of self-assembled inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Huang, XQ;  Zhao, C 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Defects  Lateral composition modulation  Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wires  Semiconductor iii-v material   InAs Wires on InP （001） 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 197-203 Wu Ju; Wang Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 characterization  point defects  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  semiconducting indium compounds  semiconducting ternary compounds  1.55 MU-M  QUANTUM-WELLS  TEMPERATURE  GAAS   High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001) 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.123104 作者:  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 NANOWIRES  THRESHOLD  WELLS  INP   Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.096102 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  INTERFACES