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浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN系レーザ素子 专利 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28 作者:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 许兴胜; 陈弘达 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2009/06/11 光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 许兴胜; 陈弘达; 马勇 收藏  |  浏览/下载：86/1  |  提交时间：2009/06/11 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利 专利号: CN1874012A, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2006-12-06 作者:  康香宁;  章蓓;  陈勇;  包魁;  徐科 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 许兴胜; 杜伟; 陈弘达 收藏  |  浏览/下载：123/3  |  提交时间：2009/06/11 具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 专利 专利号: CN1282257C, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25 作者:  吉川明彦;  徐科 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer 专利 专利号: US7123637, 申请日期: 2006-10-17, 公开日期: 2006-10-17 作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  BOUR, DAVID P.;  ROMANO, LINDA T.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride 专利 专利号: US7118929, 申请日期: 2006-10-10, 公开日期: 2006-10-10 作者:  FRAYSSINET, ERIC;  BEAUMONT, BERNARD;  FAURIE, JEAN-PIERRE;  GIBART, PIERRE 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 반도체 발광소자 专利 专利号: KR100634273B1, 申请日期: 2006-10-09, 公开日期: 2006-10-16 作者:  하시모토시게키;  야나시마가쓰노리;  이케다마사오;  나카지마히로시 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1838384, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2006-09-27 王笑龙; 于广辉; 隋妍萍; 雷本亮; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06