| 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 | |
| 康香宁; 章蓓; 陈勇; 包魁; 徐科; 张国义; 陈志忠; 胡晓东 | |
| 2006-12-06 | |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 专利号 | CN1874012A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。 |
| 公开日期 | 2006-12-06 |
| 申请日期 | 2005-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 康香宁,章蓓,陈勇,等. 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法. CN1874012A. 2006-12-06. |
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