| 具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 | |
| 吉川明彦; 徐科 | |
| 2006-10-25 | |
| 著作权人 | 千叶大学 |
| 专利号 | CN1282257C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种容易实现具有在一个分子层水平上的平坦性的外延的氮化物系异质结构的器件及其制造方法。本发明的器件具有：表面氮化的c面蓝宝石基片1，GaN缓冲层2，N极性GaN层3，N极性AlN层4，N极性InN/InGaN多重层器件结构5，Al极性AlN6和GaN盖层7。 |
| 公开日期 | 2006-10-25 |
| 申请日期 | 2003-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 千叶大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川明彦,徐科. 具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法. CN1282257C. 2006-10-25. |
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