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科研机构
半导体研究所 [137]
内容类型
期刊论文 [121]
会议论文 [16]
发表日期
2001 [137]
学科主题
半导体物理 [39]
半导体材料 [29]
光电子学 [9]
半导体化学 [1]
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发表日期:2001
专题:半导体研究所
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Electroluminescence from au/(sio2/si/sio2) nanometer double barrier/p-si structures and its mechanism
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11751-11761
作者:
Qin, GG
;
Chen, Y
;
Ran, GZ
;
Zhang, BR
;
Wang, SH
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite iii-v nitride quantum wells
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
作者:
Wan, SP
;
Xia, JB
;
Chang, K
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-gan
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
作者:
Xu, XL
;
Liu, HT
;
Shi, CS
;
Zhao, YW
;
Fung, S
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence behavior of quantum dots in spherical glass microcavity
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 421-425
作者:
Jia, R
;
Jiang, DS
;
Chen, JH
;
Tan, PH
;
Sun, BQ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Spherical microcavity
Glass microsphere
Cdses glass quantum dots
Whispering gallery modes (wgms)
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of gan layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657
作者:
Sun, XL
;
Yang, H
;
Zhu, JJ
;
Wang, YT
;
Chen, Y
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Defect states in cubic gan epilayer grown on gaas by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685
作者:
Xu, SJ
;
Or, CT
;
Li, Q
;
Zheng, LX
;
Xie, MH
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Exciton localization in in0.15ga0.85as/gaas quantum wire structures grown on (553)b-oriented gaas substrate
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114
作者:
Liu, BL
;
Liu, B
;
Xu, ZY
;
Ge, WK
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Radiative recombination characteristics in gaas multilayer n(+)-i interfaces
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
作者:
Shen, WZ
;
Jiang, LF
;
Yu, G
;
Lai, ZY
;
Wang, XG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Formation of the micro-defects in floating zone silicon and its influence on photoluminescence of porous silicon
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 564-567
作者:
Li, CB
;
Li, HX
;
Guo, CH
;
Zhang, H
;
Xue, CS
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Micro-defect
Hydrogen
Porous silicon
Photoluminescence of algaas/ingaas/gaas pseudomorphic hemts with different thickness of spacer layer
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
作者:
Cao, X
;
Zeng, YP
;
Kong, MY
;
Pan, LA
;
Wang, BQ
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
High electron mobility transistors
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