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科研机构
上海技术物理研究所 [8]
内容类型
学位论文 [8]
发表日期
2009 [8]
学科主题
红外探测材料与器件 [8]
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专题:中国科学院上海技术物理研究所
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学科主题:红外探测材料与器件
发表日期:2009
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碲镉汞微台面干法隔离的ICP技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
周文洪
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
微台面列阵隔离
Icp刻蚀
高占空比
刻蚀损伤
双色红外探测器读出电路研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
刘非
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/08/22
红外探测器
红外焦平面
双色
读出电路
红外探测器与读出电路耦合关系研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
林加木
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/22
红外焦平面
读出电路
失效分析
噪声特性
辐照
高In组分InGaAs短波红外线列探测器技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
张可锋
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提交时间:2012/08/22
Ingaas
短波红外探测器
空间遥感
焦平面
测试结构
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
刘斌
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte长波探测器
暗电流
砷掺杂
光电特性
变面积
表面漏电流
最佳吸收层厚度
侧向收集效应
牛津型斯特林制冷机可靠性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
刘心广
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/08/22
牛津型斯特林制冷机
失效分析
磨损
气体污染
可靠性评价
紫外电学定标探测器的研制及其定标应用研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
邵秀梅
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/08/22
紫外辐射
电学定标热释电探测器
工艺损伤
光电等效
定标
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