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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者: 叶甜春
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| 干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工艺及电学特性研究 学位论文
: 大连理工大学, 2015
作者: 王青鹏
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| 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法 专利
专利号: CN201110340567.X, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01
作者: 樊捷; 魏珂; 刘果果; 黄俊; 刘新宇
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| ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究 期刊论文
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8
作者: 程吉凤; 朱耀明; 唐恒敬; 李雪; 邵秀梅
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| 碲镉汞双色红外探测芯片的喷涂匀胶技术研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 尹文婷
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/09/11
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
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| 一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 会议论文
第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集, 第十届全国敏感元件与传感器学术会议, 中国北京, CNKI, 全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会
阮勇; 叶双莉; 张大成; 任天令; 刘理天; RUAN Yong; YE Shuang-li; ZHANG Da-cheng; REN Tian-ling; LIU Li-tian
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
2010, 2010
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟; JIANG Shan; DONG Lei; ZHANG Rui-kang; LUO Yong; XIE Shi-zhong
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