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| Semiconductor element 专利
专利号: JP1992350976A, 申请日期: 1992-12-04, 公开日期: 1992-12-04
作者: WATABE SHINICHI; TADATOMO KAZUYUKI; SUKEGAWA TOKUZO
  收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1992316374A, 申请日期: 1992-11-06, 公开日期: 1992-11-06
作者:
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor material having si-doped gainp cap layer 专利
专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05
作者: MAEDA SHIGEO; TOYAMA OSAMU; WATABE SHINICHI
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor material provided with si-doped gainp layer 专利
专利号: JP1992269876A, 申请日期: 1992-09-25, 公开日期: 1992-09-25
作者: MAEDA SHIGEO; WATABE SHINICHI; TADATOMO KAZUYUKI
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor material, photoelectric integrated circuit element, and crystal growth method of material 专利
专利号: JP1991072680A, 申请日期: 1991-03-27, 公开日期: 1991-03-27
作者: WATABE SHINICHI
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor material of light emitting element provided with distorted active layer 专利
专利号: JP1992369874A, 公开日期: 1992-12-22
作者: TADATOMO KAZUYUKI; WATABE SHINICHI; MAEDA SHIGEO; TOYAMA OSAMU
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/26 |
