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Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations 期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149
作者:  Yu, Xinxin;  Zhou, Jianjun;  Wang, Yanfeng;  Qiu, Feng;  Kong, Yuechan
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19
儿童替考拉宁药代动力学及给药方案的研究进展 期刊论文
中华临床感染病杂志, 2019, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 134-141
作者:  刘月;  吕婵梅;  高洪朱;  刘其风;  王晓晨
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11
辽东山区林参复合经营土壤质量评价 中文期刊论文
2017
作者:  刘伟玮;  刘某承;  李文华;  郑颖;  王月婵
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2016/12/27
辽东山区林参复合经营土壤质量评价 中文期刊论文
2017
作者:  刘伟玮;  刘某承;  李文华;  郑颖;  王月婵
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2017/11/07
基于Landsat的合肥市城市扩张研究 期刊论文
浙江大学学报(理学版), 2017, 卷号: 第44卷, 页码: 631-639
作者:  吴小君;  苗月鲜;  庞婵云;  王凯;  方秀琴
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/18
京津冀城市群空间结构测度与优化路径选择 期刊论文
商业经济研究, 2017, 卷号: 0, 期号: 9
作者:  高素英[1];  张烨[1];  王红月[1];  王羽婵[2]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/06
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Wang, Jingli;  Zou, Xuming;  Zhang, Kai;  Guo, Yaxiong;  Li, Yi
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6
作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31

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