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江苏大学 [1]
微电子研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
内容类型
会议论文 [3]
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2018 [2]
2017 [1]
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Total Ionizing Dose Characterization of a SRAM in 28nm UTBB FDSOI Technology
会议论文
作者:
Qiwen Zheng
;
mengxin Liu
;
Jiangwei Cui
;
Shanxue Xi
;
Ying Wei
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浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/10
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
A Fast Topographic Correction Method for TEM Data
会议论文
TECHNOLOGY AND APPLICATION OF ENVIRONMENTAL AND ENGINEERING GEOPHYSICS, 2017-01-01
作者:
Xue, Guoqiang[1]
;
Chen, Weiying[2]
;
Cui, Jiangwei[3]
;
Yan, Shu[4]
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Topographic correction
TEM
CSAMT
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