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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201110362040.7, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/01/06 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器 专利 专利号: 201110063540.0, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1王仍 2李向阳 3 林杏潮 4张莉萍 5张可峰 6焦翠灵 7陆液 8 邵秀华 9 陆荣 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/01/14