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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
2007 [2]
1998 [1]
1992 [1]
学科主题
光电子学 [7]
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学科主题:光电子学
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穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:
王玉田
;
江德生
;
赵德刚
;
朱建军
;
张书明
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
作者:
Zhao Degang
;
Wang Yutian
;
Jiang Desheng
;
Duan Ruifei
;
Ma Zhifang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
马志芳, 王玉田, 江德生, 赵德刚, 张书明, 朱建军, 刘宗顺, 孙宝娟, 段瑞飞, 杨辉, 梁骏吾
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/05/16
Effects of Ag on electrical properties of Ag/Ni/p-GaN ohmic contact
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1741-1744
Zhao DS (Zhao De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
朱建军
;
江德生
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:152/52
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提交时间:2010/11/23
Suructural investigation of InGaAs/InP quantum wire array using triple-axis X-ray diffractometry
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 61
作者:
Wang W(王圩)
;
Jiang DS(江德生)
;
Ma WQ(马文全)
;
Wang YT(王玉田)
;
Zhu HL(朱洪亮)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究
期刊论文
半导体学报, 1992, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 333
作者:
江德生
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
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