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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evaluating the benefits of Integrating Floating Photovoltaic and Pumped Storage Power System 期刊论文 ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT, 2019, 卷号: 194, 页码: 173-185 作者:  Liu, Luyao;  Sun, Qie;  Li, Hailong;  Yin, Hongyi;  Ren, Xiaohan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/11 Floating photovoltaic  Pumped storage power system  Collaborative  operation  Genetic algorithm   Research on position calibration method of temperature image of pool based on image processing technology 会议论文 3rd International Workshop on Pattern Recognition, IWPR 2018, May 26, 2018 - May 28, 2018 作者:  Li, Wenlong;  Ren, Yuan;  Ge, Hailong;  Cheng, Wei;  Ma, Qingzeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE 期刊论文 Chinese Optics Letters, 2003, 期号: 01, 页码: 21-23 作者:  于永芹,张晓阳,黄柏标,尉吉勇,周海龙,潘教青,秦晓燕,任忠祥 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 GaAs  in  or  of  Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE  MQW  by   GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响 期刊论文 量子电子学报, 2003, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 125-128 作者:  周海龙;  黄伯标;  潘教青;  于永芹;  尉吉勇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 发光二极管  稳定性  厚度  砷化镓  薄膜  化学气相沉积法   MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱 期刊论文 光电子·激光, 2003, 期号: 3 作者:  于永芹;  黄柏标;  尉吉勇;  潘教青;  周海龙 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/03 InGaAs/Al0.2Ga0.8As  多量子阱(MQWs)  MOCVD   MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing 期刊论文 光电子·激光, 2003, 卷号: 14, 期号: 3 作者:  Yu,Yongqin;  Huang,Baibiao;  Wei,Jiyong;  Pan,Jiaoqing;  Zhou,Hailong 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 多量子阱  In组分   MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文) 期刊论文 光电子·激光, 2003, 期号: 03, 页码: 244-247+260 作者:  于永芹,黄柏标,尉吉勇,潘教青,周海龙,岳金顺,李树强,张晓阳,秦晓燕,陈文澜,齐云,王笃祥,任忠祥 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 InGaAs/Al0.2Ga0.8As  多量子阱(MQWs)  MOCVD   InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 期刊论文 量子电子学报, 2003, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 345-349 作者:  于永芹;  黄柏标;  尉古勇;  潘教青;  周海龙 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/03 InGaAs/AlGaAs量子阱  量子尺寸效应  应变效应   Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE 期刊论文 中国光学快报（英文版）, 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 21-23 作者:  Yu YQ(于永芹);  Zhang XY(张晓阳);  Huang BB(黄柏标);  Wei JY(尉吉勇);  Zhou HL(周海龙) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 multiple quantum wells  strain compensation  misfit dislocation  room temperature  epitaxial layers  strain relief  vapor phase   用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管 期刊论文 光电子·激光, 2002, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 682-684 作者:  于永芹;  黄柏标;  周海龙;  魏吉勇;  潘教青 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 发光二极管（LED）  应变多量子阱  金属有机物化学气相淀积（MOCVD）  倒装技术