| MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱 | |
| 于永芹; 黄柏标; 尉吉勇; 潘教青; 周海龙; 岳金顺; 李树强; 张晓阳; 秦晓燕; 陈文澜 | |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 2003 | |
| 期号 | 3 |
| 关键词 | InGaAs/Al0.2Ga0.8As 多量子阱(MQWs) MOCVD |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6351948 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南, 2.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 3.[岳金顺 4.李树强 5.王笃 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于永芹,黄柏标,尉吉勇,等. MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱[J]. 光电子·激光,2003(3). |
| APA | 于永芹.,黄柏标.,尉吉勇.,潘教青.,周海龙.,...&任忠祥.(2003).MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱.光电子·激光(3). |
| MLA | 于永芹,et al."MOCVD生长InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱".光电子·激光 .3(2003). |
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