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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide  QUANTUM-DOTS  ANODIC ALUMINA  ARRAYS  PLACEMENT  INAS   Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 241111 Zhang, L; Wei, XC; Liu, NX; Lu, HX; Zeng, JP; Wang, JX; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/02/06 ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  TRANSPORT-PROPERTIES   Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文 16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010 阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2011/07/26