CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共125条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Experimental and theoretical study on device-processing-incorporated fluorine in AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 065122
作者:  Jianxing Xu;   Xiaodong Tong;   Shiyong Zhang;   Zhe Cheng;   Lian Zhang;   Penghui Zheng;   Feng-Xiang Chen;   Rong Wang;   Yun Zhang;   Wei Tan
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/06/16
Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677
作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Zhao, Junliang;  Zhu, Qiuxiang;  Chen, Yongbo
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/26
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/17
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20
Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2018
作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Tan, Shuxin;  Zhang, Boshun(张宝顺);  Zhang, Jicai(张纪才)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/27
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：429/0  |  提交时间：2017/06/05
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11
Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8
作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/31
Effects of rapid thermal annealing on the properties of aln films deposited by peald on algan/gan heterostructures 期刊论文
Rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 47, 页码: 37881-37886
作者:  Cao, Duo;  Cheng, Xinhong;  Xie, Ya-Hong;  Zheng, Li;  Wang, Zhongjian
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/10
Theoretical study of the anisotropic electron scattering by steps in vicinal AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文
physica e: low-dimensional systems and nanostructures, 2015, 卷号: 66, 页码: 116-119
Huijie Li; Guipeng Liu; Guijuan Zhao; Hongyuan Wei; Lianshan Wang; Shaoyan Yang; Zhen Chen; Zhanguo Wang
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/29

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace