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苏州纳米技术与纳米... [22]
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期刊论文 [22]
发表日期
2018 [12]
2017 [6]
2016 [4]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/27
An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Yu, Guo-Hao(于国浩)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Bao-Shun(张宝顺)
;
Wang, Yi-Qun(王逸群)
;
Fu, Kai(付凯)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2019/03/27
Large-Scale Fabrication of High-Performance Ionic Polymer Metal Composite Flexible Sensors by in Situ Plasma Etching and Magnetron Sputtering
期刊论文
ACS OMEGA, 2018
作者:
Zhao, Lei(赵磊)
;
Hao, Jian
;
Yang, Ying(杨赢)
;
Chen, Wei(陈韦)
;
Fu, Ruoping(付若萍)
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/03/27
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Fan, Yaming(范亚明)
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhao, Jie
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/03/27
p-GaN hybrid anode AlGaN/GaN diode with 1000 V operation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018
作者:
Zhang Bao-Shun(张宝顺)
;
Chen Fu(陈扶)
;
Hao Rong-Hui(郝荣晖)
;
Tang Wen-Xin
;
Yu Guo-Hao(于国浩)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/03/27
IPMC Sensor Integrated Smart Glove for Pulse Diagnosis, Braille Recognition, and Human–Computer Interaction
期刊论文
Advanced Materials Technologies, 2018
作者:
Chen, Wei(陈韦)
;
Ming, Yue(明月)
;
Yang, Ying
;
Fu, Ruo Ping(付若萍)
;
Lu, Chao(陆超)
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/03/27
Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Ding, Xiaoyu
;
Yu, Guohao
;
Cheng, Kai
;
Cai, Yong
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/03/27
Dynamic nanoscale imaging of enriched CO adlayer on Pt(111) confined under h-BN monolayer in ambient pressure atmospheres
期刊论文
Nano Research, 2018
作者:
Zhao, Peng
;
Bao, Xinhe
;
Fu, Qiang
;
Cui, Yi(崔义)
;
Wen, Xiaodong
收藏
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浏览/下载:114/0
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提交时间:2019/03/27
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