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半导体研究所 [51]
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期刊论文 [48]
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Defects coupling impacts on mono-layer wse2 tunneling field-effect transistors
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Wu,Jixuan
;
Ma,Xiaolei
;
Chen,Jiezhi
;
Jiang,Xiangwei
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浏览/下载:235/0
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提交时间:2019/05/12
Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: 3
作者:
Jiang, Jin-Wu
;
Wang, Bing-Shen
;
Wang, Jian-Sheng
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:52/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Donor-donor binding in in2o3: engineering shallow donor levels
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Tang, Li-Ming
;
Wang, Ling-Ling
;
Wang, Dan
;
Liu, Jian-Zhe
;
Chen, Ke-Qiu
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method
期刊论文
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645
作者:
Wei, Xuecheng
;
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Li, Jinmin
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Defects
X-ray diffraction
Growth from vapor
Oxides
Semiconducting ii-vi materials
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