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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/10/08 GaN  HEMT  Swift heavy ion  Latent track  Electrical characteristics   High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks 期刊论文 NANO RESEARCH, 2018, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 1227-1237 作者:  Zhang, Hongchao;  Meng, You;  Song, Longfei;  Luo, Linqu;  Qin, Yuanbin 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/06/11 In2o3 Nanofiber  Transistor  Doping  Threshold Voltage  Enhancement Mode   Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices 期刊论文 MICROMACHINES, 2018, 卷号: 9 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Cao, Yaqing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02 threshold voltage (V-th) stability  gallium nitride (GaN)  high electron mobility transistors (HEMTs)  analytical model  high-temperature operation   ZnO Nanofiber Thin-Film Transistors with Low-Operating Voltages 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 1 作者:  Wang, Fengyun;  Song, Longfei;  Zhang, Hongchao;  Meng, You;  Luo, Linqu 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/04/02 Annealing  Electrospinning  Low-operating Voltage  Transistor  Zno Nanofiber